全球人工智能芯片市场领导者SK海力士的技术实力备受业界关注，该公司于2013年首次开发出高带宽存储器（HBM）。

据业内人士7月16日消息，SK海力士于7月12日为证券分析师举办了企业演示会(IR)。在本次会议中，就SK海力士对HBM技术的前景进行了问答。

SK海力士有信心凭借其独特的封装技术超越三星电子和美国美光科技等竞争对手。

随着生成式人工智能的兴起成为 IT 行业的热门话题，人们对 HBM 存储芯片越来越感兴趣，这种芯片具有更宽的带宽，可以实现更快的数据传输速度和更大的存储容量。

尤其是，SK 海力士备受关注，因为众所周知，Nvidia 图形处理单元 (GPU) 中使用的 HBM 超过 90% 都是由 SK 海力士供应的，而该领域与人工智能相关的需求最近呈爆炸式增长。HBM 目前正在以 HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）和 HBM3（第四代）的产品名称进行开发。

在IR中，SK海力士向分析师强调，他们比三星电子和美光拥有技术优势。SK海力士的一位官员强调，“最关键的作用是制造工厂（FAB）和封装部门之间的紧密沟通，因为HBM需要在后端处理方面进行先发制人的投资。” 他补充道，“SK海力士已经能够开发出与竞争对手不同的产品封装，并以长期独家的方式从合作伙伴那里获得关键材料。”

他们还重点介绍了大规模回流模制底部填充 (MR-MUF) 封装方法。MR-MUF是SK海力士首先开发的技术，据了解目前只有SK海力士使用该技术生产HBM。该公司相信，MR-MUF方法将有效保持其计划于明年发布的产品（HBM3E）的市场竞争力，超越目前量产的第四代产品（HBM3）。

MR-MUF封装是当半导体芯片附着到电路上并且芯片向上堆叠时，用一种称为环氧模塑料（EMC）的材料填充并附着芯片之间的空间的工艺。之前的竞争对手在此过程中使用了非导电膜 (NCF) 技术。NCF 是一种在芯片之间使用一种薄膜来堆叠芯片的方法。

MR-MUF封装对HBM芯片的外部结构有重大影响。SK hynix 在创建 12 层 HBM3 时，将一款产品中堆叠的 DRAM 数量从 8 个（16 GB）增加到 12 个，从而将容量增加了约 50%。

通过此，SK海力士实现了24GB的最大当前容量。为了在保持芯片厚度的同时增加容量（堆叠数量），DRAM芯片必须减薄40%，并一层一层向上堆叠。然而，这会导致较薄的芯片容易弯曲。据解释，MR-MUF封装对于防止这种情况并保持芯片的厚度是必要的。

SK海力士对市场担心“三星电子可以通过同时提供存储器和逻辑半导体工艺在HBM领域占据领先地位”的担忧表现得并不关心。SK海力士的一位高管解释说，“客户不希望一家公司占据主导地位”，并且“他们目前很重视Nvidia、台积电和SK海力士之间的合作。”

SK 海力士的这种信心值得关注，因为它是在与三星半导体的激烈竞争中表现出来的，而三星半导体对近期的 HBM 市场很敏感。7月5日，三星电子DS部门总裁Kyung Gye-hyun在“WeTalk”员工交流活动中表示，“三星HBM产品仍占据50%以上的市场份额”，“近期HBM3产品受到了来自三星电子客户的好评”。

HBM相关市场预计每年增长40%以上，SK海力士、三星电子和美光之间的竞争非常激烈。根据台湾市场研究公司TrendForce的数据，全球HBM市场份额为SK海力士（50%）、三星电子（40%）和美光（10%）。

预计，如果SK海力士凭借第五代产品HBM3E扩大市场份额差距，三星电子和美光的份额将分别小幅下降至38%和9%。京社长的“三星HBM份额超过50%”的说法与市场研究公司的调查结果直接矛盾。